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磷化銦InP

磷化銦InP

東莞市建盟化學(xué)有限公司經(jīng)銷世界知名品牌磷化銦InP單晶片產(chǎn)品。磷化銦單晶片生長方式，等級(jí)，直徑，厚度，表面處理，晶向，晶向偏角，摻雜類型，電阻率，薄膜，加工服務(wù)。

產(chǎn)品詳情

Type 導(dǎo)電類型

Semi-Insulated

N-Type

P-Type

NP Type

Dopant  摻雜元素

Fe

S, Sn

Zn

Undoped

Growth Method 長晶方式

VGF

Diameter 直徑

2", 3", 4", 6"

Orientation 晶向

(100)±0.5°

Thickness 厚度 (μm)

 350-675um ±25um

OF/IF 參考邊

US EJ

Carrier Concentration 載流子濃度

-

(0.8-8)*1018

(0.8-8)*1018

(1-10)*1015

Resistivity 電阻率 (ohm-cm)

>0.5*107

-

-

-

 Mobility 電子遷移率 (cm2/V.S.)

>1000

1000-2500

50-100

3000-5000

Etch Pitch Density 位錯(cuò)密度(/cm2)

<5000

<5000

<500

<500

TTV 平整度 [P/P] (μm)

<10

TTV 平整度 [P/E] (μm)

<15

Warp 翹曲度 (μm)

<15

Surface Finished 表面加工

P/P, P/E, E/E


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