英飛凌Infineon功率mosfe應用

英飛凌MOSFET晶體管優(yōu)勢在于可大幅降低整體能耗。這將顯著減少二氧化碳排放，因此在削減成本的同時，還能打造更為環(huán)保的系統(tǒng)和產(chǎn)品。英飛凌 CoolMOS? 超結 MOSFET 型號齊全，適用于消費品、工業(yè)和汽車應用，如照明、電視、音頻、服務器/電信、太陽能、電動車充電、DC-DC 轉換器、車載充電器等。

20V-800V汽車級MOSFET

英飛凌的汽車合格OptiMOS產(chǎn)品組合? 功率MOSFET和CoolMOS? 超級結MOSFET提供從20V到800V的基準質(zhì)量、多樣化的封裝和從R D（on）到0.35M的范圍?.  通過使用英飛凌的汽車功率MOSFET等高質(zhì)量組件，工程師和汽車制造商可以幫助將MOSFET相關故障降至最低。

N-通道功率MOSFET

英飛凌OptiMOS? N 溝道功率MOSFET旨在提高效率、功率密度和成本效益。OptiMOS? 產(chǎn)品專為高性能應用設計，針對高開關頻率進行了優(yōu)化，品質(zhì)因數(shù)出色。適用于低、中、高功率應用的中低壓 OptiMOS? 和StrongIRFET?功率MOSFET以及適合多種應用的CoolMOS?高壓功率MOSFET。N-通道功率MOSFET子類別：12V-40V N-溝道功率 MOSFET；45V-80V N-溝道功率 MOSFET；85V-300V N-溝道功率 MOSFET；500V-950V N-溝道功率 MOSFET。

P-通道功率MOSFET

英飛凌 P 溝道功率 MOSFET 型號豐富，適合包括電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC 轉換器、車載充電器、電機控制及低壓驅動應用在內(nèi)的諸多工業(yè)應用。P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區(qū)別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負電壓 (VGS) 才能導通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。

20V-250V P溝道和 20V-600V N溝道車規(guī)和非車規(guī) MOSFET

英飛凌提供各種小信號 MOSFET。小信號產(chǎn)品非常適合存在空間限制的汽車和/或非汽車應用。幾乎在所有應用中都能找到小信號產(chǎn)品，例如電池保護、電池充電、LED 照明、負載開關、DCDC 轉換器、電平轉換器和低壓驅動等。

N-Channel Depletion Mode

英飛凌是全球少數(shù)能夠提供 n 溝道耗盡型 MOSFET 的半導體制造商之一。應用領域包括電源啟動功率、過電壓保護、浪涌電流限制器，離線電壓基準。利用單個元件可以實現(xiàn)簡單電流調(diào)節(jié)器。所有產(chǎn)品均適用于 汽車電子應用。為滿足特殊要求，n 溝道耗盡型 MOSFET 可在卷軸上配備 VGS(th) 指示器。

N溝道和P溝道互補式MOSFET

英飛凌互補式功率 MOSFET 以高、低邊配置將 N 溝道與 P 溝道 MOSFET 集成至單個封裝中。該雙 MOSFET 系列采用 OptiMOS? 和IR MOSFET?技術，可滿當下應用的較高標準與性能需求。  此類 MOSFET 互補對不僅能提高設計效率，亦可簡化產(chǎn)品結構。諸如 SO8、PQFN3x3 和 TSOP-6 等緊湊型封裝均可用于此類 MOSFET，進而打造出成本優(yōu)化型解決方案。其目標應用包括 DC-DC 轉換、電機控制、電池管理以及車載充電器。

sic碳化硅mosfet

依托豐富經(jīng)驗和兼容性技術專長，英飛凌推出革命性的CoolSiC? MOSFET技術，可助力實現(xiàn)全新的產(chǎn)品設計。相比傳統(tǒng)的硅開關（如IGBT和MOSFET）而言，碳化硅（SiC）功率MOSFET具有一系列優(yōu)勢。1700 V、1200 V和650 V的CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品瞄準的應用包括光伏逆變器、電池充電、儲能、電機驅動、UPS（不間斷電源）、輔助電源和SMPS等。