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艾賽斯汽車級(jí)MOSFET
AEC-Q101 MOSFET。這種MOSFET器件經(jīng)過大量測試,滿足汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
艾賽斯N通道耗盡模式MOSFET
與普通的增強(qiáng)型MOSFET不同,耗盡模式 MOSFET需要負(fù)的柵偏壓方可關(guān)閉。 此類產(chǎn)品 適用于電平轉(zhuǎn)換、固態(tài)繼電器、電流 調(diào)節(jié)器和有源負(fù)載。
艾賽斯帶快速本征二極管的N通道MOSFET(HiPerFET)
HiPerFET?是適用于硬開關(guān)和共振模應(yīng)用的功率MOSFET ,可提供低 柵極電荷和出色的耐用性,并配備快速本征二極管。此系列提供多種標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝,包括絕緣式封裝。
艾賽斯N通道線性MOSFET
線性功率MOSFET適用于需要 方形SOA特性并在同時(shí)存在Vds和Id的條件下運(yùn)行的應(yīng)用,例如恒流調(diào)節(jié)器和電子負(fù)載。
艾賽斯N通道標(biāo)準(zhǔn)MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)N通道功率MOSFET的獨(dú)特設(shè)計(jì)使其能夠在硬開關(guān)和共振模態(tài)應(yīng)用中提供卓越性能。
艾賽斯N通道超級(jí)結(jié)MOSFET
超級(jí)結(jié)功率MOSFET擁有600-800V級(jí)別MOSFET中最低的Rds(on)。 內(nèi)部DCB隔離簡化了組裝并降低了從結(jié)到散熱片 之間的熱阻。這種器件經(jīng)過雪崩評(píng)級(jí),可確保穩(wěn)定可靠的運(yùn)行。
艾賽斯N通道溝槽柵MOSFET
溝槽柵功率MOSFET需要極低的RDS(on),因此確保了非常低的功率耗損。在此基礎(chǔ)上再結(jié)合-40 °C到175 °C 的工作結(jié)溫范圍,令這些產(chǎn)品非常適合低電壓/高電流應(yīng)用,例如汽車應(yīng)用。
艾賽斯N通道超級(jí)結(jié)MOSFET
這類器件擁有較低的RS(on)和Qg,并采用低電感 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝。它們能實(shí)現(xiàn)高功率密度、簡便的安裝并節(jié)省空間,因而成為SMPS、DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC電路、交流和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及機(jī)器人/伺服控制等應(yīng)用的理想解決方案。
艾賽斯P通道MOSFET
P通道功率MOSFET非常適合降壓轉(zhuǎn)換器和需要接地的負(fù)載。它們可與對(duì)等的N通道MOSFET搭配,組成互補(bǔ)對(duì),從而適用于需要圖騰柱輸出的多種應(yīng)用。
艾賽斯表面安裝式功率器件(SMPD)MOSFET
SMPD封裝MOSFET表面安裝式功率器件(SMPD)封裝是一種創(chuàng)新的解決方案,可以為多種電力電子應(yīng)用提供大量優(yōu)化設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)。
艾賽斯可切換電流調(diào)節(jié)器
可切換電流調(diào)節(jié)器是一個(gè)有效且通用的新型器件系列,主要用于通信、網(wǎng)絡(luò)以及電源轉(zhuǎn)換電路。有了它,設(shè)計(jì)者可以減少元件數(shù)量、降低成本和節(jié)省空間,從而簡化電路。
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