艾賽斯汽車級(jí)MOSFET

AEC-Q101 MOSFET。這種MOSFET器件經(jīng)過大量測試，滿足汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。

艾賽斯N通道耗盡模式MOSFET

與普通的增強(qiáng)型MOSFET不同，耗盡模式 MOSFET需要負(fù)的柵偏壓方可關(guān)閉。 此類產(chǎn)品 適用于電平轉(zhuǎn)換、固態(tài)繼電器、電流 調(diào)節(jié)器和有源負(fù)載。

艾賽斯帶快速本征二極管的N通道MOSFET（HiPerFET）

HiPerFET?是適用于硬開關(guān)和共振模應(yīng)用的功率MOSFET ，可提供低 柵極電荷和出色的耐用性，并配備快速本征二極管。此系列提供多種標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝，包括絕緣式封裝。

艾賽斯N通道線性MOSFET

線性功率MOSFET適用于需要 方形SOA特性并在同時(shí)存在Vds和Id的條件下運(yùn)行的應(yīng)用，例如恒流調(diào)節(jié)器和電子負(fù)載。

艾賽斯N通道標(biāo)準(zhǔn)MOSFET

標(biāo)準(zhǔn)N通道功率MOSFET的獨(dú)特設(shè)計(jì)使其能夠在硬開關(guān)和共振模態(tài)應(yīng)用中提供卓越性能。

艾賽斯N通道超級(jí)結(jié)MOSFET

超級(jí)結(jié)功率MOSFET擁有600-800V級(jí)別MOSFET中最低的Rds(on)。 內(nèi)部DCB隔離簡化了組裝并降低了從結(jié)到散熱片 之間的熱阻。這種器件經(jīng)過雪崩評(píng)級(jí)，可確保穩(wěn)定可靠的運(yùn)行。

艾賽斯N通道溝槽柵MOSFET

溝槽柵功率MOSFET需要極低的RDS(on)，因此確保了非常低的功率耗損。在此基礎(chǔ)上再結(jié)合-40 °C到175 °C 的工作結(jié)溫范圍，令這些產(chǎn)品非常適合低電壓/高電流應(yīng)用，例如汽車應(yīng)用。

艾賽斯N通道超級(jí)結(jié)MOSFET

這類器件擁有較低的RS(on)和Qg，并采用低電感 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝。它們能實(shí)現(xiàn)高功率密度、簡便的安裝并節(jié)省空間，因而成為SMPS、DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC電路、交流和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及機(jī)器人/伺服控制等應(yīng)用的理想解決方案。

艾賽斯P通道MOSFET

P通道功率MOSFET非常適合降壓轉(zhuǎn)換器和需要接地的負(fù)載。它們可與對(duì)等的N通道MOSFET搭配，組成互補(bǔ)對(duì)，從而適用于需要圖騰柱輸出的多種應(yīng)用。

艾賽斯表面安裝式功率器件（SMPD）MOSFET

SMPD封裝MOSFET表面安裝式功率器件（SMPD）封裝是一種創(chuàng)新的解決方案，可以為多種電力電子應(yīng)用提供大量優(yōu)化設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)。

艾賽斯可切換電流調(diào)節(jié)器

可切換電流調(diào)節(jié)器是一個(gè)有效且通用的新型器件系列，主要用于通信、網(wǎng)絡(luò)以及電源轉(zhuǎn)換電路。有了它，設(shè)計(jì)者可以減少元件數(shù)量、降低成本和節(jié)省空間，從而簡化電路。